三星正为英伟达开发8层HBM4E

据韩国媒体报道，三星电子正配合英伟达（NVDA）要求开发8层第七代高带宽存储器（HBM4E），较原计划的12层、16层方案显著降低堆叠高度。英伟达提出的速度规格为17-18Gbps，较三星初期HBM4E 14.4Gbps的样品速度高出约20%。该产品据报将用于NVHBM。